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        侵權投訴

        國產存儲芯片新格局:2020年真正實現大規模量產!

        Carol Li ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:Carol Li ? 2020-01-06 08:30 ? 次閱讀

        存儲芯片在電子產業鏈中扮演著非常重要的角色,主要分為閃存和內存,閃存包括 NAND FlashNOR Flash,內存主要為DRAM。2019年,由于市場低迷及產能過剩,存儲芯片價格一路走跌,2019年底稍有回暖跡象。
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        國產存儲芯片在剛剛過去的2019年成長顯著,兆易創新受益于TWS業績一路攀升,長江存儲64256 Gb 3D NAND量產,長鑫存儲10納米級8Gb DDR4宣布投產等等。
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        隨著5G、物聯網、智能設備等市場需求強勁,預計2020NOR、NANDDRAM 將會迎來不同幅度的需求增長以及價格上浮。在市場需求推動和自身力量積蓄下,2020年國產存儲芯片有望迎來新拐點。
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        2020年兆易創新等NOR Flash廠商業績持續看好

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        目前,全球市場占有率排名靠前的有華邦、旺宏、兆易創新、賽普拉斯、美光。其中國產廠商兆易創新2019年表現異常突出,市占排名一路攀升,到目前位列第三,占全球份額的18.3%,排名第一的華邦占26.2%,第二的旺宏占23.3%,預計未來兆易創新的市占排名還會進一步上升。
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        兆易創新成立于2005年,是國產領先的存儲芯片設計公司,其2019半年報顯示,公司NOR Flash 產品,累計出貨量已經超過 100 億顆。受惠于打入國際領先TWS品牌的供應鏈,公司業績持續呈現大幅上揚走勢,第三季的NOR Flash業績較第二季再度成長36%,創下連續兩個季度營收成長超過35%的成績,同時也創下單季NOR Flash達到1億美元。?
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        在剛剛過去的2019年,兆易創新海推出全新小封裝尺寸系列產品,是業界首款采用 1.5mm×1.5mm USON8 最小封裝,支持 1.65V 3.6V 的低功耗寬電壓產品,以及全線產品支持 WLCSP 封裝,為物聯網、穿戴式、消費類及健康監測等對電池壽命和緊湊型尺寸要求嚴苛的應用提供了優異的選擇。
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        在芯片制程工藝方面,目前公司 NOR Flash 產品工藝處于行業內主流技術水平,工藝節點為65nm。隨著很多可穿戴產品、物聯網終端小型化發展,對其中的芯片面積、元器件尺寸要求非常嚴,兆易創新大容量55nm制程芯片開發進展比較順利, 預期2020年一季度起有望上量。?
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        國內NOR Flash廠商武漢新芯也在加快產品更新。近期,公司推出了基于50nm Floating Gate工藝的SPI NOR Flash產品系列XM25QWxxC。該XM25QWxxC系列產品的讀速在1.65V3.6V電壓范圍內可達108MHz(在所有單//四通道和QPI模式下均支持),在電源電壓下降后,時鐘速度沒有任何減慢。該系列產品支持SOP8USON8封裝,支持客戶開發小尺寸的產品。產品適用于物聯網、可穿戴設備和其它功耗敏感應用中。
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        武漢新芯自主品牌市場銷售負責人馬珮玲此前表示,NOR Flash相對來說是一個比較成熟的市場,目前公司的NOR Flash產品容量覆蓋4Mbit256Mbit,現在也正在加速研發,后續會有大容量的NOR Flash推出,以滿足5G基站市場的迅猛需求。據業界人士透露,武漢新芯的NOR Flash也應用于TWS耳機上。
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        NOR Flash在經過2018年的低谷后,2019年市場快速回溫,整個NOR Flash市場行情正在反彈,漲價趨勢較為明顯。預計2020NOR將面臨率先漲價。其推動力主要來自于TWS耳機銷售強勁、OLED屏幕滲透加速。
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        TWS耳機在低端市場價格進入100元以內,銷量快速滲透,致使Nor Flash供應偏緊。此外,在高端安卓及蘋果市場,降噪功能的加入使得單機Nor容量翻倍,單機價值量大幅上升。IDC預計2019TWS放量增長150%1.1億對,2020年將會達1.5億對。
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        同時,AMOLEDTDDI在智能手機滲透率逐步提高,也推動NOR Flash的需求增長。2019年手機端AMOLED出貨量5.8億顆,2020年預計達6.92億顆。TDDI-COF在全面屏的解決方案越來越受歡迎,2019年出貨量達6.1億顆,預計2020年達7億顆。
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        事實上,不僅僅是TWS耳機和OLED屏幕,物聯網時代所有主動連接式的端設備實際上都需要 NOR Flash,需要運行代碼,這個需求非常大,實際上整個 NOR Flash 市場規模正在增長。只要物聯網趨勢往前發展,這樣的需求就存在,而現在萬物互聯還只是剛剛開頭。
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        5G商用帶來巨大需求,長江存儲643D NAND量產趕上好時機


        SSD和移動終端為NAND Flash需求主要來源。根據DRAMexchange,2019NAND Flash銷售額461億美元,同比下滑27.1%,預計2020年市場將回暖,銷售額將達550億左右。
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        5G時代,巨量數據將產生巨大的數據存儲需求。根據IDC預測,到2025年,全球數據圈將擴展至163ZB (1ZB等于1萬億GB),相當于2018年的六倍。預估2019年產生35ZB數據,其中約58%來自于HDD,30%來自于閃存,主要是 NAND Flash,從目前NAND Flash出貨容量來看,存在巨大成長空間。
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        目前來看,NAND 市場占有率主要集中在三星、鎧俠(東芝)、西部數據、美光、英特爾、SK海力士等廠商手上。其中三星占33.0%,鎧俠(東芝)占18.8%,西部數據占13.8%,美光占12.9%,英特爾占10.9%,SK海力士占9.7%。
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        從技術來看,隨著5G及物聯網技術的發展,數據正呈現出爆炸式的增長,由此對于存儲的需求也是越來越大,各大存儲廠商也是在不斷的研發更大容量的3D NAND。
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        據了解,三星已于20196月份推出128256Gb 3D TLC NAND,8月份批量生產250GB SATA SSD,并現已可量產128512Gb TLC 3D NAND。鎧俠/西部數據、美光等也將在2020年推進1283D NAND技術發展,英特爾甚至將在2020年推出144QLC NAND。
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        國產廠商NAND技術與國際廠商還存在差距,不過2019826日,長江存儲643D NAND閃存芯片首次公開展出。隨后,公司在官方微信宣布,已經量產64256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
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        這對于國產NAND來說具有里程碑意義,隨著長江存儲643D NAND宣布量產,國內在NAND技術上正式開啟追趕態勢。長江存儲643D NAND閃存是全球首款基于Xtacking架構設計并實現量產的閃存產品。而Xtacking架構是長江存儲于20198月推出的全新3D NAND架構,通過此架構引入批量生產,可以顯著提升產品性能、縮短開發周期和生產制造周期。
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        據悉,2020年長江存儲643D NAND閃存開始逐步提升產能,預計2020年底可望將產能提升到月產6萬片晶圓的規模。此外,公司也將在2020年生產128層堆棧3D閃存。屆時隨著1283D NAND投入生產,國內在NAND上與國際廠商的差距將會再次縮小。
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        2019年和20205G商用正式開啟,大量數據的產生推動NAND需求增長,這對于長江存儲來說正是發力的好時機。
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        國產DRAM進展顯著:長鑫存儲已投產、兆易創新2020流片,紫光集團開始布局


        目前,全球DRAM市場壟斷明顯,三星、SK海力士、美光三家占據全球95%以上的市場份額,三星占45%,SK海力士占29.2%,美光占21.2%。中國是DRAM芯片的最大市場,但三星、SK海力士、美光卻占據主導地位,這也使得DRAM成為我國受外部制約最為嚴重的基礎產品之一,DRAM是我們急需突破的一個領域。
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        值得關注的是,2019年國內DRAM廠商長鑫存儲、兆易創新取得顯著進展,紫光集團也正式進軍DRAM領域。
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        長鑫存儲內存芯片自主制造項目2019920日宣布投產,其與國際主流DRAM產品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相。長鑫存儲內存芯片自主制造項目于20165月由合肥市政府旗下投資平臺合肥產投與細分存儲器國產領軍企業兆易創新共同出資組建,一期設計產能每月12萬片晶圓。
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        目前,該項目已通過層層評審,并獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。長鑫存儲董事長兼首席執行官朱一明表示,投產的8Gb DDR4已經通過多個國內外大客戶的驗證,2019年底正式交付。
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        另外,兆易創新也于20191227日透露,其首款DRAM芯片計劃于2020年展開流片試樣,并將于2021年進行封裝測試以及完成客戶驗證,測試成功后進行大批量產。除此之外,其多系列DRAM產品將在2025年之前陸續完成研發及量產。
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        兆易成長由16 NOR 17 NAND 到近兩年切入 DRAM,目前在 DRAM 技術及研發方面,公司已組建由數十名資深工程師組成的核心研發團隊,涵蓋前端設計、后端產品測試與驗證,該團隊的核心技術帶頭人員從事 DRAM 芯片行業平均超過二十年,具備較強的技術及研發實力。?
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        2019930日,兆易創新發布非公開發行A股股票預案,擬募集資金33.2億元用于DRAM芯片研發及產業化項目。據介紹,募投項目主要為消費型 DRAM 和移動型 DRAM,下游應用主要包括電視機頂盒、路由器、車載電子、工控、手機、平板電腦、游戲機以及可穿戴設備等。與標準型 DRAM 相比,利基型 DRAM 以客制化為主,小眾市場,采用相對成熟的制程,以 DDR3/LPDDR3 為主,主流制程以 40+ nm、20+ nm 為主。?
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        國盛證券表示,兆易創新作為合肥長鑫 DRAM項目產業運營方,未來有望深化 fabless+foundry合作模式。 長鑫晶圓項目由合肥產投和兆易創新合作投資,長鑫存儲技術有限公司負責管理和運營,是中國大陸唯一擁有完整技術、工藝和生產運營團隊的 DRAM 項目。?
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        除了長鑫存儲和兆易創新,紫光集團于2019630日正式宣布組建紫光集團事業群,為此紫光集團組建了DRAM事業群,由刁石京任事業群董事長,高啟全為事業群CEO。紫光集團此前一直以NAND Flash存儲器重點發展方向,如今,DRAM事業群的組建意味著紫光集團正式進軍DRAM領域。
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        隨后,紫光迅速布局,并于827日與重慶市政府簽署了合作協議,將在重慶建設DRAM總部研發中心、紫光DRAM事業群總部、DRAM存儲芯片制造工廠等。其中紫光重慶DRAM存儲芯片制造工廠主要專注于12英寸DRAM存儲芯片的制造,該工廠計劃于2019年底開工建設,預計2021年建成投產。
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        整體來看,2020年在5G、物聯網、智能設備等新興市場的推動下,存儲芯片市場需求將迎來較大增長,NOR、NAND、DRAM也會面臨一定幅度的價格上調,與此同時,相比以往小規模產能、研發為主的存儲產業格局而言,2020年國產存儲芯片有望迎來真正的量產階段,可見,不管是從外部市場還是內部技術產能上,2020年都將是國產存儲芯片的新拐點。

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        《HCS12微控制器原理及應用》介紹FreescaleHCS12系列16位微控制器的中央處理器結構、....
        發表于 01-14 10:53 ? 145次 閱讀
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        南亞科自研10nm DRAM DRAM產品可持續微縮至少三個時代

        1 月 13 日訊,近日,南亞科技股份有限公司稱,公司已完成自主研發 10 納米級 DRAM 技術,....
        發表于 01-14 10:47 ? 164次 閱讀
        南亞科自研10nm DRAM DRAM產品可持續微縮至少三個時代

        南亞科李培瑛宣布已完成自主研發10納米級DRAM技術 預計2020下半年陸續進入產品試產

        南亞科總經理李培瑛近日宣布,已完成自主研發10納米級DRAM技術。
        的頭像 半導體動態 發表于 01-13 15:16 ? 505次 閱讀
        南亞科李培瑛宣布已完成自主研發10納米級DRAM技術 預計2020下半年陸續進入產品試產

        存儲器實現技術革新,DRAM有望進行量產

        據近日報道,面對存儲器半導體產業市場低迷,三星電子,SK海力士,鎂光企圖通過新舊世代的產品交替,克服....
        發表于 01-13 13:50 ? 380次 閱讀
        存儲器實現技術革新,DRAM有望進行量產

        通過自旋電子隨機存取存儲器來深入研究自旋

        我們許多人都知道,隨機存取存儲器(Random Access Memory,縮寫:RAM;也叫主存)....
        發表于 01-13 11:50 ? 132次 閱讀
        通過自旋電子隨機存取存儲器來深入研究自旋

        最新研究將有望帶來功耗更低速度更快的存儲器

        據日本東京工業大學官網近日報道,該??茖W家們開發出一款新的材料組合,它為磁隨機存取存儲器鋪平了道路。
        發表于 01-13 11:47 ? 201次 閱讀
        最新研究將有望帶來功耗更低速度更快的存儲器

        南亞科10納米級DRAM技術自主研發完成

        據悉,全球DRAM內存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中,他們的份額高達95%以上,關鍵....
        的頭像 汽車玩家 發表于 01-13 11:19 ? 560次 閱讀
        南亞科10納米級DRAM技術自主研發完成

        TMS320VC5402定點數字信號處理器的數據手冊免費下載

        TMS320VC5402定點數字信號處理器(DSP)(以下簡稱5402,除非另有說明)基于一種改進的....
        發表于 01-13 08:00 ? 160次 閱讀
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        F28M35H20B1系列Concerto雙核微控制器的數據手冊免費下載

        Concerto系列是一款具有獨立通信和實時控制子系統的多核系統芯片微控制器(MCU)。F28M35....
        發表于 01-13 08:00 ? 144次 閱讀
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        博帝新發布EVLVR 2系列雷電3移動固態硬盤

        今年的消費電子展上,博帝(Patriot)推出了 EVLVR 系列雷電 3 移動固態硬盤的增強版本。
        發表于 01-11 11:33 ? 366次 閱讀
        博帝新發布EVLVR 2系列雷電3移動固態硬盤

        Spartan-6 FPGA的配置教程說明

         Spartan-6 FPGA 利用CCL 支持布線線路與邏輯單元之間的可配置互聯功能。Sparta....
        發表于 01-10 15:28 ? 125次 閱讀
        Spartan-6 FPGA的配置教程說明

        從零開始學數字電子技術PDF電子教材免費下載

        本書以全新的角度和寫作方法,力圖使初學者從零開始,快速掌握數字電子技術知識。所介紹的主要知識有:數字....
        發表于 01-10 15:01 ? 168次 閱讀
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        新編MCS51單片機應用設計PDF電子書免費下載

        單片機自20世紀70年代問世以來,作為微計算機一個很重要的分支,應用廣泛,發展迅速,已對人類社會產生....
        發表于 01-10 15:00 ? 219次 閱讀
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        三星晶圓廠停電不會影響第一季度DRAM價格

        早在2019年12月31日,韓國華城三星的Line 13工廠停電并因此導致生產中斷后,人們擔心這種中....
        的頭像 劉偉DE 發表于 01-10 14:08 ? 1938次 閱讀
        三星晶圓廠停電不會影響第一季度DRAM價格

        三星芯片工廠斷電,第一季度DRAM不會價格上漲

        有外媒今日援引TrendForce研究部門DRAMeXchange報告指出,對消費市場而言,此次事件....
        的頭像 汽車玩家 發表于 01-10 09:43 ? 629次 閱讀
        三星芯片工廠斷電,第一季度DRAM不會價格上漲

        存儲器的編碼方法

        一種存儲器的編碼方法,應用于包含存儲器的裝置,存儲器中包含第一存儲體、第二存儲體和第三存儲體,包括:獲取存儲器的帶寬信息...
        發表于 11-15 15:44 ? 582次 閱讀
        存儲器的編碼方法

        ROHM BR24T系列 EEPROM存儲器

        ROHM EEPROM支持SPI總線接口,串行3線接口和2線I2C接口方法。輸入電壓范圍:1.6V~5.5V;2.5V~5.5V;2.7V~5....
        發表于 11-15 09:16 ? 242次 閱讀
        ROHM BR24T系列 EEPROM存儲器

        新手求教,怎么系統的學習一下存儲器這個方向的知識?等待中。。。

        就是想系統學習下存儲器這方面的知識,零散的學習總覺得不對胃口。感謝大神知識。 先看什么書籍后看什么  謝謝 ...
        發表于 11-10 13:48 ? 597次 閱讀
        新手求教,怎么系統的學習一下存儲器這個方向的知識?等待中。。。

        如何設計抗SEU存儲器電路中的FPGA?

        隨著我國航空航天事業的迅猛發展,衛星的應用越來越廣泛。然而,太空環境復雜多變,其中存在著各種宇宙射線與高能帶電粒子,它們...
        發表于 11-08 07:57 ? 131次 閱讀
        如何設計抗SEU存儲器電路中的FPGA?

        如何獲得配置PS DRAM控制器(DDRC)板的參數?

        嗨,我已經搜索了很多關于配置PS DRAM控制器(DDRC)板參數的信息,鏈接如下,http://www.xilinx.com/support/answer...
        發表于 11-07 08:43 ? 215次 閱讀
        如何獲得配置PS DRAM控制器(DDRC)板的參數?

        如何在塊存儲器中寫入和讀取矩陣?

        你好, 繼續這條消息: 我要將數據矩陣存儲在fpga而不是LUT的塊存儲器中作為內存! 因為基于我編寫的代碼中的上述鏈接,...
        發表于 11-07 07:30 ? 499次 閱讀
        如何在塊存儲器中寫入和讀取矩陣?

        如何實現定制緩沖管理?

        隨著通信協議的發展及多樣化,協議處理部分PE在硬件轉發實現方面,普遍采用現有的商用芯片NP(Network Processor,網絡處理...
        發表于 11-07 06:27 ? 223次 閱讀
        如何實現定制緩沖管理?

        如何設計新型PSoC 5LP模擬傳感器板?

        你好, 我最近剛剛設計了一個PSoC 5LP模擬傳感器板。它有幾個模擬傳感器,以及一個ISOSPI接口,顯示頭,模擬和數字頭...
        發表于 11-06 10:00 ? 232次 閱讀
        如何設計新型PSoC 5LP模擬傳感器板?

        DS2430A有什么基本結構?

        DS2430A是256位一線式EE-PROM,具有3引腳TO-92小體積封裝形式或6引腳TSOC表面貼封裝形式,能安裝到印制電路板上或...
        發表于 11-06 07:24 ? 255次 閱讀
        DS2430A有什么基本結構?

        DM320007-C和RA8875 LCD控制器之間的硬件接口

        大家好,我正在設計一個板來連接dm320007-c pic32mz啟動器套件和帶有ra8875控制器的顯示器。我對pic32mz和ra8875之間的接口有些懷...
        發表于 11-05 11:04 ? 477次 閱讀
        DM320007-C和RA8875 LCD控制器之間的硬件接口

        LE2416RLBXA EEPROM存儲器 2線 串行接口 16 kbits(2k x 8位)

        RLBXA是一款2線串行接口EEPROM。它結合了我們公司的高性能CMOS EEPROM技術,實現了高速和高可靠性。該器件與I 2 C存儲器協議兼容;因此,它最適合需要小規??芍貙懛且资詤荡鎯ζ鞯膽贸绦?。 特性 優勢 單電源電壓:1.7V至3.6V(讀?。? 低功耗 擦除/寫入周期:10 5 周期(頁面寫入) 高可靠性 容量:16k位(2k x 8位) 工作溫度:-40至+ 85°C 接口:雙線串行接口(I 2 C總線) 工作時鐘頻率:400kHz 低功耗:待機: 2μA( max)有效(讀?。?.5mA(最大值) 自動頁面寫入模式:16字節 閱讀模式:順序閱讀和隨機閱讀 數據保留期:20年 上拉電阻:WP引腳上帶有內置上拉電阻的5kΩ(典型值) 高可靠性 應用 手機相機模塊 電路圖、引腳圖和封裝圖...
        發表于 04-18 20:23 ? 40次 閱讀
        LE2416RLBXA EEPROM存儲器 2線 串行接口 16 kbits(2k x 8位)

        TLC5958 具有 48k 位存儲器的 48 通道、16 位 PWM LED 驅動器

        信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌電流驅動器,適用于占空比為 1 至 32 的多路復用系統。 每個通道都具有單獨可調的 65536 步長脈寬調制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位顯示存儲器以提升視覺刷新率,同時降低 GS 數據寫入頻率。輸出通道分為三組,每組含 16 個通道。 各組都具有 512 步長顏色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大電流值可通過 8 步長全局亮度控制 (BC) 功能設置。 CC 和 BC 可用于調節 LED 驅動器之間的亮度偏差。 可通過一個串行接口端口訪問 GS、CC 和 BC 數據。如需應用手冊:,請通過電子郵件發送請求。TLC5958 有一個錯誤標志:LED 開路檢測 (LOD),可通過串行接口端口讀取。 TLC5958 還具有節電模式,可在全部輸出關閉后將總流耗設為 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌電流輸出具有最大亮度控制 (BC)/最大顏色亮度控制 (CC) 數據的灌電流: 5VCC 時為 25mA 3.3VCC 時為 20mA 全局亮度控制 (BC):3 位(8 步長) 每個顏色組的顏色亮度控制 (CC):9 位(512 步長),三組使用多路復用增強型光譜 (ES) PWM 進行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路復用的 48K 位灰度數據...
        發表于 04-18 20:08 ? 191次 閱讀
        TLC5958 具有 48k 位存儲器的 48 通道、16 位 PWM LED 驅動器

        TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存儲器功率解決方案、用于嵌入式計算的同步降壓控制器

        信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP? Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
        發表于 04-18 20:05 ? 68次 閱讀
        TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存儲器功率解決方案、用于嵌入式計算的同步降壓控制器

        TPS53317A 用于 DDR 存儲器終端的 6A 輸出 D-CAP+ 模式同步降壓集成 FET 轉換器

        信息描述 TPS53317A 器件是一款設計為主要用于 DDR 終端的集成場效應晶體管 (FET) 同步降壓穩壓器。 它能夠提供一個值為 ? VDDQ的經穩壓輸出,此輸出具有吸收電流和源電流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 運行模式,簡單易用,所需外部組件數較少并可提供快速瞬態響應。 該器件還可用于其他電流要求高達 6A 的負載點 (POL) 穩壓應用。此外,該器件支持具有嚴格電壓調節功能的 6A 完整灌電流輸出。該器件具有兩種開關頻率設定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成壓降支持、外部跟蹤功能、預偏置啟動、輸出軟放電、集成自舉開關、電源正常功能、V5IN 引腳欠壓鎖定 (UVLO) 保護功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 電容。 該器件支持的輸入電壓最高可達 6V,而輸出電壓在 0.45V 至 2.0V 范圍內可調。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引腳超薄四方扁平無引線 (VQFN) 封裝(綠色環保,符合 RoHS 標準并且無鉛),其中應用了 TI 專有的集成 MOSFET 和封裝技術,其額定運行溫度范圍為 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 專有的集成金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 和封裝技術支持 DDR 內存...
        發表于 04-18 20:05 ? 59次 閱讀
        TPS53317A 用于 DDR 存儲器終端的 6A 輸出 D-CAP+ 模式同步降壓集成 FET 轉換器

        TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器功率解決方案同步降壓

        信息描述 TPS51716 用最少總體成本和最小空間提供一個針對 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 內存系統的完整電源。 它集成了同步降壓穩壓器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO (VTT) 和經緩沖的低噪聲基準 (VTTREF)。 TPS51716 采用與 500kHz 或 670kHz 工作頻率相耦合的 D-CAP2? 模式,此模式在無需外部補償電路的情況下可支持陶瓷輸出電容器。 VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度高達 0.8%。 能夠提供 2A 灌電流/拉電流峰值電流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷電容器。 此外,此器件特有一個專用的 LDO 電源輸入。TPS51716 提供豐富、實用的功能以及出色的電源性能。 它支持靈活功率級控制,將 VTT 置于 S3 中的高阻抗狀態并在 S4/S5 狀態中將 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放電(軟關閉)。 它包括具有低側 MOSFET RDS(接通)感測的可編程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和熱關斷保護。TPS51716 從 TI 出廠時采用 20引腳,3mm x 3mm QFN 封裝并且其額定環境溫度范圍介于 -40°C 至 85°C 之間。特性 同步降壓控制器 (VDDQ)轉換電壓范圍:3V 至 28V輸出...
        發表于 04-18 20:05 ? 85次 閱讀
        TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器功率解決方案同步降壓

        TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器,2A LDO,緩沖參考

        信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP? mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
        發表于 04-18 20:05 ? 136次 閱讀
        TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器,2A LDO,緩沖參考

        AD5175 單通道、1024位數字變阻器,配有I2C接口和50-TP存儲器

        信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) I2C兼容型接口 游標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5175是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。該器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以采用2.7 V至5.5 V的單電源供電,并提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5175的游標設置可通過I2C兼容型數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5175不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+125°C擴展...
        發表于 04-18 19:35 ? 18次 閱讀
        AD5175 單通道、1024位數字變阻器,配有I2C接口和50-TP存儲器

        AD5174 單通道、1024位數字變阻器,配有SPI接口和50-TP存儲器

        信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) SPI兼容型接口 游標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5174是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。 該器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以采用2.7 V至5.5 V的單電源供電,并提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5174的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5174不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+125°C擴展工業...
        發表于 04-18 19:35 ? 16次 閱讀
        AD5174 單通道、1024位數字變阻器,配有SPI接口和50-TP存儲器

        AD5292 單通道、1%端到端電阻容差(R-TOL)、1024位數字電位計,具有20次可編程存儲器

        信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 標稱電阻容差誤差(電阻性能模式):±1%(最大值) 20次可編程游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 分壓器溫度系數:5 ppm/°C +9V至+33V單電源供電 ±9V至±16.5V雙電源供電 欲了解更多特性,請參考數據手冊 下載AD5292-EP (Rev 0)數據手冊(pdf) 溫度范圍:?55°C至+125°C 受控制造基線 唯一封裝/測試廠 唯一制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/12616 DSCC圖紙號產品詳情AD5292是一款單通道1024位數字電位計1,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。這些器件能夠在寬電壓范圍內工作,支持±10.5 V至±16.5 V的雙電源供電和+21 V至+33 V的單電源供電,同時確保端到端電阻容差誤差小于1%,并具有20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291和AD5292的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供20次永久編程的機...
        發表于 04-18 19:31 ? 26次 閱讀
        AD5292 單通道、1%端到端電阻容差(R-TOL)、1024位數字電位計,具有20次可編程存儲器

        AD5291 單通道、1%端到端電阻容差(R-Tol)、256位數字電位計,具有20次可編程存儲器

        信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校準的標稱電阻容差:±1%(電阻性能模式) 20次可編程 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 溫度系數(分壓器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 單電源供電 ±9 V至±16.5 V 雙電源供電 欲了解更多特性,請參考數據手冊 產品詳情AD5291/AD5292屬于ADI公司的digiPOT+? 電位計系列,分別是單通道256/1024位數字電位計1 ,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。這些器件的工作電壓范圍很寬,既可以采用±10.5 V至±16.5 V雙電源供電,也可以采用+21 V至+33 V單電源供電,同時端到端電阻容差誤差小于1%,并提供20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291/AD5292的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供20次永久編程的機會。在20-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將游標位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5291/AD52...
        發表于 04-18 19:31 ? 18次 閱讀
        AD5291 單通道、1%端到端電阻容差(R-Tol)、256位數字電位計,具有20次可編程存儲器

        AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

        信息優勢和特點 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1 存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復至EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多信息,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
        發表于 04-18 19:29 ? 24次 閱讀
        AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

        AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

        信息優勢和特點 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復為EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀/寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多特性,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
        發表于 04-18 19:29 ? 30次 閱讀
        AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

        AD5252 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、256位數字電位計

        信息優勢和特點 非易失性存儲器可保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )產品詳情AD5252是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有256位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值?;菊{整模式就是在游標位設置(RDAC)寄...
        發表于 04-18 19:29 ? 96次 閱讀
        AD5252 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、256位數字電位計

        AD5251 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、64位數字電位計

        信息優勢和特點 非易失性存儲器保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )產品詳情AD5251是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有64位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值?;菊{整模式就是在游標位設置(RDAC)寄存器...
        發表于 04-18 19:29 ? 106次 閱讀
        AD5251 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、64位數字電位計

        AD5235 非易失性存儲器、雙通道1024位數字電位計

        信息優勢和特點 雙通道、1024位分辨率 標稱電阻:25 kΩ、250 kΩ 標稱電阻容差誤差:±8%(最大值) 低溫度系數:35 ppm/°C 2.7 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源 SPI兼容型串行接口 非易失性存儲器存儲游標設置 加電刷新EEMEM設置 永久性存儲器寫保護 電阻容差儲存于EEMEM中 26字節額外非易失性存儲器,用于存儲用戶定義信息 1M編程周期 典型數據保留期:100年 下載AD5235-EP數據手冊 (pdf) 溫度范圍:-40℃至+125°C 受控制造基線 一個裝配/測試廠 一個制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/11605 DSCC圖紙號產品詳情AD5235是一款雙通道非易失性存儲器1、數控電位計2,擁有1024階躍分辨率,保證最大低電阻容差誤差為±8%。該器件可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和出色的低溫度系數性能。通過SPI?-兼容串行接口,AD5235具有靈活的編程能力,支持多達16種工作模式和調節模式,其中包括暫存編程、存儲器存儲和恢復、遞增/遞減、±6 dB/階躍對數抽頭調整和游標設置回讀,同時提供額外的EEMEM1 ,用于存儲用戶定義信息,如其他元件的存儲器數據、查找表、系統標識信息等。...
        發表于 04-18 19:28 ? 122次 閱讀
        AD5235 非易失性存儲器、雙通道1024位數字電位計

        AD5231 非易失性存儲器、1024位數字電位計

        信息優勢和特點 1024位分辨率 非易失性存儲器保存游標設置 上電時利用EEMEM設置刷新 EEMEM恢復時間:140 μs(典型值) 完全單調性工作 端接電阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存儲器寫保護 游標設置回讀功能 預定義線性遞增/遞減指令 預定義±6 dB/步對數階梯式遞增/遞減指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源供電產品詳情AD5231是一款采用非易失性存儲器*的數字控制電位計**,提供1024階分辨率。它可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和遙控能力。該器件功能豐富,可通過一個標準三線式串行接口進行編程,具有16種工作與調整模式,包括便箋式編程、存儲器存儲與恢復、遞增/遞減、±6 dB/步對數階梯式調整、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。在便箋式編程模式下,可以將特定設置直接寫入RDAC寄存器,以設置端子W–A與端子W–B之間的電阻。此設置可以存儲在EEMEM中,并在系統上電時自動傳輸至RDAC寄存器。EEMEM內容可以動態恢復,或者通過外部PR選通脈沖予以恢復;WP功能則可保護EE...
        發表于 04-18 19:28 ? 110次 閱讀
        AD5231 非易失性存儲器、1024位數字電位計

        CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

        28是一個EEPROM串行128-Kb SPI器件,內部組織為16kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25128設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和軟件保護 低功耗CMOS技術 SPI模式(0,0& 1,1) 工業溫度范圍 自定時寫周期 64字節頁面寫緩沖區 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或所有EEPROM陣列 1,000,000計劃/時代se周期 100年數據保留 8引腳SOIC,TSSOP和8焊盤TDFN,UDFN封裝 此設備無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準 其他識別具有永久寫保護的頁面 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
        發表于 04-18 19:13 ? 98次 閱讀
        CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

        CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

        56是一個EEPROM串行256-Kb SPI器件,內部組織為32kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25256設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字節頁面寫緩沖區 具有永久寫保護的附加標識頁(新產品) 自定時寫周期 硬件和軟件保護 100年數據保留期 1,000,000個程序/擦除周期 低功耗CMOS技術 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 工業溫度范圍 8引腳SOIC ,TSSOP和8焊盤UDFN封裝 此器件無鉛,無鹵素/ BFR,以及符合RoHS標準 應用 汽車系統 Communica tions Systems 計算機系統 消費者系統 工業系統 ...
        發表于 04-18 19:13 ? 62次 閱讀
        CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

        CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

        信息 CAT25040是一個4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,內部組織為512x8位。安森美半導體先進的CMOS技術大大降低了器件的功耗要求。它具有16字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片選()啟用。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 輸入可用于暫停與CAT25040設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0和1,1) 16字節頁面寫入緩沖區 自定時寫入周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000編程/擦除周期 100年數據保留 工業和擴展溫度范圍 PDIP,SOIC,TSSOP 8引腳和TDFN,UDFN 8焊盤封裝 這些器件無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準...
        發表于 04-18 19:13 ? 72次 閱讀
        CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

        CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

        60是一個EEPROM串行16-Kb SPI器件,內部組織為2048x8位。它們具有32字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25160設備的任何串行通信。這些器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0& 1,1) 32字節頁面寫入緩沖區 自定時寫周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或全部EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000個編程/擦除周期 100年數據保留 工業溫度范圍 符合RoHS標準的8引腳SOIC,T SSOP和8-pad UDFN軟件包 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
        發表于 04-18 19:13 ? 95次 閱讀
        CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI
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