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        侵權投訴

        耦合電路中怎么判斷同名端

        2020-01-14 14:50 ? 次閱讀

          按右手螺旋法則所規定的互感電壓的正極性參考方向與產生它的電流的參考方向和兩個線圈的繞向有關系。但實際的線圈往往是密封的,無法看到具體繞向;并且在電路圖中繪出線圈的方向也很不方便。

          為此引入同名端(dotted terminals)的概念。采用同名端標記方法。對兩個有耦合的線圈各取一個端子,并用相同的符號標記,如“?”或“*”。當兩個電流分別從兩個線圈的對應端子同時流入時,若產生的磁通相互增強,則這兩個對應端子稱為兩互感線圈的同名端。

        耦合電路中怎么判斷同名端

          同名端的聯系:

          耦合線圈中的磁通鏈與施感電流成線性關系,是各施感電流獨立產生的磁通鏈疊加的效果。M前的正負號說明磁耦合中,互感作用的兩種可能性。正號表示互感磁通鏈與自感磁通鏈方向一致,稱為互感的“增助”作用。

          負號則相反,表示互感的“削弱”作用。為了便于反映“增助”或“削弱”作用和簡化圖形表示,采用同名端標記方法。對兩個有耦合的線圈名取一個端子,并用相同的符號標記,如小圓點或“*”號等。這一對端子稱為“同名端”。

          若規定:一次線圈首端標為L1,末端為L2。二次線圈首端標為K1,末端為K2。接線圖中,L1和K1、L2和K2均稱為同名端。當一對施感電流I1和I2從同名端流進(或流出)各自的線圈時,互感起增助作用。

          如果電流I1從端子L1進,而電流I2從端子K2出,則互感將起增強作用。引入同名端的概念后,兩個耦合線圈可以用帶有同名端標記的電感L和K來表示。兩個有耦合的線圈的同名端可以根據它們的繞向和相對位置判別,也可以通過實驗方法來確定。

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        一般電子線路中的電感是空心線圈,或帶有磁芯的線圈,只能通過較小的電流,承受較低的電壓,而功率電感也有空心線圈的,也有帶磁...
        發表于 10-14 09:10 ? 136次 閱讀
        功率電感器的作用是什么?

        請問線圈處如何消除尖峰?

        我是新人一個,現在有一個問題如下圖所示,具體需要怎么選擇元器件?謝謝 ...
        發表于 10-13 20:54 ? 420次 閱讀
        請問線圈處如何消除尖峰?

        TIL113M 6引腳DIP光敏達林頓輸出光電耦合器

        ??4N30M,4N32M,4N33M,H11B1M和TIL113包含一個砷化鎵紅外線發射器,光耦合至一個硅平面達林頓放大器。 特性 “對于低輸入驅動電流高度敏感 滿足或超過所有JEDEC寄存規格 安全和法規認證: UL1577,4170 VAC RMS (1分鐘) DIN-EN / IEC60747-5-5,850 V峰值工作絕緣電壓“ 應用 消費型設備 工業級電機 電路圖、引腳圖和封裝圖
        發表于 04-18 20:06 ? 56次 閱讀
        TIL113M 6引腳DIP光敏達林頓輸出光電耦合器

        TIL117M 6引腳DIP光電晶體管輸出光電耦合器

        信息MOC8100、TIL111和TIL117光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。 UL認證(文件編號E90700) 通過VDE認證(文件編號94766);(文件編號102497,白色封裝) 為白色封裝增加選件V(例如,TIL111VM)
        發表于 04-18 20:06 ? 31次 閱讀
        TIL117M 6引腳DIP光電晶體管輸出光電耦合器

        TIL111M 6引腳DIP光電晶體管輸出光電耦合器

        信息MOC8100、TIL111和TIL117光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。 UL認證(文件編號E90700) 通過VDE認證(文件編號94766);(文件編號102497,白色封裝) 為白色封裝增加選件V(例如,TIL111VM)
        發表于 04-18 20:06 ? 14次 閱讀
        TIL111M 6引腳DIP光電晶體管輸出光電耦合器

        6N139M 8引腳DIP單通道低輸入電流高增益分離式達靈頓光電耦合器

        信息6N138M/9M和HCPL2730M/31M光電耦合器包含與高增益分離式達靈頓光電檢測器光耦合的AlGaAs LED。分離式達靈頓配置將輸入光電二極管和第一級增益與輸出晶體管分開,相對于傳統的達靈頓光電晶體管光電耦合器,可降低輸出飽和電壓,提高運行速度。在雙通道器件中,集成發射極-基極電阻 HCPL2730M/HCPL2731M 可提供一流的耐溫穩定性。0.5mA的極低輸入電流與2000%的高電流傳輸比相結合,使得該系列對于MOS、CMOS、LSTTL和EIA RS232C的輸入接口特別有用,同時也確保了至CMOS的輸出兼容性,并且滿足高扇出TTL要求。內部噪聲屏蔽可提供 10 kV/μs 的出色共模抑制性能。 低電流 – 0.5 mA 一流的 CTR-2000% 一流的 CMR-10 kV/μs CTR 保證 0–70°C U.L. 認證(文件編號 E90700,卷 2) VDE 認證(待定) – 訂購選件 V,如 6N138VM 雙通道 – HCPL2730M,HCPL2731M(即將上市)...
        發表于 04-18 20:02 ? 54次 閱讀
        6N139M 8引腳DIP單通道低輸入電流高增益分離式達靈頓光電耦合器

        6N137M 高速10MBit/s邏輯門光電耦合器

        信息6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M單通道和HCPL2630M、HCPL2631M雙通道光電耦合器包含850 nm砷化鋁鎵LED,該LED光學耦合至帶可選通輸出的超高速集成光電探測器邏輯門。 該輸出具有開路集電極,允許有線或輸出。 在-40°C至+85°C溫度范圍內可確保耦合參數。 5mA的最大輸入信號將提供13mA的最小輸出灌電流(扇出為8)。 內部噪聲屏蔽提供卓越的通常為10kV/μs的共模抑制。 HCPL2601M和HCPL2631M的CMR最小值為5kV/μs。 HCPL2611M的CMR最小值為10kV/μs。 超高速 – 10 MBit/s 卓越 CMR – 10 kV/μs -40°C 至 +85°C 時扇出為 8 邏輯柵極輸出 可選通輸出 有線OR開路集電極 U.L. 認證(文件編號E90700)...
        發表于 04-18 20:01 ? 23次 閱讀
        6N137M 高速10MBit/s邏輯門光電耦合器

        6N138M 8引腳DIP單通道低輸入電流高增益分離式達靈頓光電耦合器

        信息6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光電耦合器包含與高增益分離式達靈頓光電檢測器光耦合的 AlGaAs LED。 分離式達靈頓配置將輸入光電二極管和第一級增益與輸出晶體管分開,相對于傳統的達靈頓光電晶體管光電耦合器,可降低輸出飽和電壓,提高運行速度。在雙通道器件中,集成發射極-基極電阻 HCPL2730M/HCPL2731M 可提供一流的耐溫穩定性。0.5mA的極低輸入電流與2000%的高電流傳輸比相結合,使得該系列對于MOS、CMOS、LSTTL和EIA RS232C的輸入接口特別有用,同時也確保了至CMOS的輸出兼容性,并且滿足高扇出TTL要求。內部噪聲屏蔽可提供 10 kV/μs 的出色共模抑制性能。 低電流 – 0.5 mA 一流的 CTR-2000% 一流的 CMR-10 kV/μs CTR 保證 0–70°C U.L. 認證(文件編號 E90700,卷 2) VDE 認證(待定) – 訂購選件 V,如 6N138VM 雙通道 – HCPL2730M,HCPL2731M(即將上市)...
        發表于 04-18 20:01 ? 77次 閱讀
        6N138M 8引腳DIP單通道低輸入電流高增益分離式達靈頓光電耦合器

        6N136M 高速晶體管光電耦合器

        信息HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光電耦合器包含耦合高速光電檢測器晶體管的AlGaAs LED。 通過降低輸入晶體管的基極-集電極電容,單獨連接實現光電二極管偏壓使速度比傳統光電晶體管光電耦合器提高數個級別。 HCPL4503M不會內部連接到光電晶體管基極,有助于改善抗噪能力,內部噪聲屏蔽提供一流的共模抑制性能,高達50,000V/μs。 超高速 – 1 MBit/s 一流CMR – 10 kV/μs 雙通道HCPL2530M HCPL2531M(初始版) CTR保證 0–70°C U.L. 認證(文件編號 E90700,卷 2) 2) VDE認證(待定)–訂購選項“V”,例如6N135VM 5,000Vrms(1分鐘)隔離電壓 一流CMR,15,000V/μs min. (HCPL4503M)...
        發表于 04-18 20:01 ? 24次 閱讀
        6N136M 高速晶體管光電耦合器

        6N135M 高速晶體管光電耦合器

        信息 6N135光電耦合器包含一個砷化鋁鎵二極管,該二極管光耦合到一個高速光電晶體管探測器?! ?N135為偏置二極管建立了單獨的連接,降低了輸入晶體管的基極-集電極容抗,使得6N135的速度比傳統光耦提高了數個數量級?! ?6N135帶有內部噪音屏蔽,提供優越的共模抑制,達到10kV/μs。改良的配套方案提供優越的隔離性能,相比220V的工業標準,6N135的工作電壓高達480V。優勢特點HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光電耦合器包含耦合高速光電檢測器晶體管的AlGaAs LED。 通過降低輸入晶體管的基極-集電極電容,單獨連接實現光電二極管偏壓使速度比傳統光電晶體管光電耦合器提高數個級別。 HCPL4503M不會內部連接到光電晶體管基極,有助于改善抗噪能力,內部噪聲屏蔽提供一流的共模抑制性能,高達50,000V/μs。超高速 – 1 MBit/s一流CMR – 10 kV/μs雙通道HCPL2530M HCPL2531M(初始版)CTR保證 0–70°CU.L. 認證(文件編號 E90700,卷 2)VDE認證(待定)–訂購選件“V”,例如6N135VM5,000Vrms(1分鐘)隔離電壓一流CMR,15,000V/μs min....
        發表于 04-18 20:01 ? 33次 閱讀
        6N135M 高速晶體管光電耦合器

        4N30M 4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M、TIL113M 6 引腳 DIP 通用光敏達靈頓光電耦合器

        信息4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一個砷化鎵紅外線發射器,光耦合至一個硅平面達林頓放大器?!皩τ诘洼斎腧寗与娏鞲叨让舾袧M足或超過所有 JEDEC 寄存規格安全和法規認證:UL1577,4170 VAC(1 分鐘)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作絕緣電壓”
        發表于 04-18 19:38 ? 18次 閱讀
        4N30M 4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M、TIL113M 6 引腳 DIP 通用光敏達靈頓光電耦合器

        4N38M 6引腳DIP高BVceo光電晶體管輸出光電耦合器

        信息4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔離器的光電晶體管類型。 一個砷化鎵紅外發光二極管與一個高壓NPN硅光電二極管耦合。 該器件提供標準塑封6引腳雙列直插封裝。高電壓:MOC8204M, BV= 400 VH11D1M, BV= 300 VH11D3M, BV= 200 V安全和法規認證:UL1577,4170 VAC(1 分鐘)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作絕緣電壓
        發表于 04-18 19:38 ? 20次 閱讀
        4N38M 6引腳DIP高BVceo光電晶體管輸出光電耦合器

        4N33M 6引腳DIP通用光敏達靈頓光電耦合器

        ??4N30M,4N32M,4N33M,H11B1M和TIL113包含一個砷化鎵紅外線發射器,光耦合至一個硅平面達林頓放大器。 特性 “對于低輸入驅動電流高度敏感 滿足或超過所有JEDEC寄存規格 安全和法規認證: UL1577,4170 VAC RMS (1分鐘) DIN-EN / IEC60747-5-5,850 V峰值工作絕緣電壓“ 應用 AC-DC商用電源 消費型設備 工業級電機 電路圖、引腳圖和封裝圖
        發表于 04-18 19:38 ? 53次 閱讀
        4N33M 6引腳DIP通用光敏達靈頓光電耦合器

        4N37M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        信息該通用光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。 通過UL認證(文件編號E90700,卷2) VDE認證(文件編號102497)– 添加選項V(例如,4N25VM)
        發表于 04-18 19:38 ? 30次 閱讀
        4N37M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        4N36M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        信息該通用光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。 通過UL認證(文件編號E90700,卷2) VDE認證(文件編號102497)– 添加選項V(例如,4N25VM)
        發表于 04-18 19:38 ? 120次 閱讀
        4N36M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        4N32M 6引腳DIP通用光敏達靈頓光電耦合器

        信息4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一個砷化鎵紅外線發射器,光耦合至一個硅平面達林頓放大器?!皩τ诘洼斎腧寗与娏鞲叨让舾袧M足或超過所有 JEDEC 寄存規格安全和法規認證:UL1577,4170 VAC(1 分鐘)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作絕緣電壓”
        發表于 04-18 19:38 ? 60次 閱讀
        4N32M 6引腳DIP通用光敏達靈頓光電耦合器

        4N29M 6引腳DIP通用光敏達靈頓光電耦合器

        信息4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一個砷化鎵紅外線發射器,光耦合至一個硅平面達林頓放大器。對于低輸入驅動電流高度敏感滿足或超過所有 JEDEC 寄存規格安全和法規認證:UL1577,4170 VAC(1 分鐘)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作絕緣電壓
        發表于 04-18 19:38 ? 51次 閱讀
        4N29M 6引腳DIP通用光敏達靈頓光電耦合器

        4N35M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        信息該通用光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。 通過UL認證(文件編號E90700,卷2) VDE認證(文件編號102497)– 添加選項V(例如,4N25VM)
        發表于 04-18 19:38 ? 96次 閱讀
        4N35M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        4N25M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        光電耦合器包含一個砷化鎵紅外發光二極管,用于驅動硅光敏晶體管,采用標準塑料六引腳雙列封裝。 特性 IF = 10 mA時的最小電流傳輸比,VCE = 10 V:?4N27M和4N28M的10%?4N25M和4N26M的20%?4N35M,4N36M和4N37M的100% 安全和法規認證:?UL1577,4,170 VACRMS 1分鐘?DIN-EN / IEC60747-5-5,850 V峰值工作絕緣電壓 應用 AC-DC商用電源 消費型設備 工業級電機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
        發表于 04-18 19:38 ? 142次 閱讀
        4N25M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        4N28M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        信息該通用光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。 通過UL認證(文件編號E90700,卷2) VDE認證(文件編號102497)– 添加選項V(例如,4N25VM)
        發表于 04-18 19:38 ? 93次 閱讀
        4N28M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        4N26M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        信息該通用光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。IF = 10 mA、VCE = 10 V 時的最小電流傳輸比:?4N27M 和 4N28M 為 10%?4N25M 和 4N26M 為 20%?4N35M、4N36M 和 4N37M 為 100%安全和法規認證:?UL1577、4,170 VACRMS(1 分鐘)?DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作絕緣電壓
        發表于 04-18 19:38 ? 78次 閱讀
        4N26M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        4N27M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        信息該通用光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。AC-DC商用電源消費型設備工業級電機
        發表于 04-18 19:38 ? 89次 閱讀
        4N27M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器
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