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        侵權投訴

        濱化集團電子級氫氟酸取得重大突破,成功打入韓國市場

        CINNO ? 2019-07-18 10:23 ? 次閱讀

        突破!濱化集團電子級氫氟酸成功打入韓國市場

        日前,濱化集團電子級氫氟酸在市場推進方面取得重大突破,已成功打入韓國市場。

        為響應政府新舊動能轉換的號召,濱化集團引進臺灣技術新建6000噸/年電子級氫氟酸裝置于2018年7月實現量產,采用的分析儀器如感應偶合等離子質譜(ICP-MS-安捷倫8900)、電感耦合等離子體發射光譜儀(ICP-OES-賽默飛)、在線取樣系統(IAS-CSI)、空氣顆粒計數器和液體顆粒計數器(日本力昂-19AF)、濃度檢測儀(瑞士萬通905——精密度0.05%)等設備均為國外最先進產品,性能穩定,配套倉儲管理系統和實驗室LIMS系統,在產品質量管控方面達到世界一流水平。目前裝置已穩定運行一年有余,金屬離子指標全部控制在10PPT以下,品質已得到國內第三方檢測機構的認證,并成功向國內部分8-12英寸半導體芯片制造企業穩定供貨。

        電子級氫氟酸自量產以來,濱化集團一直努力推進與韓國企業建立合作伙伴關系,一年來經過多批次的樣品檢測和小批量試驗后,得到了韓國企業對產品質量的高度認可。不久前,日本宣布將限制對韓國出口半導體核心上游原材料,沖擊了三星電子、SK海力士、LG電子等韓國主要電子產品生產企業。某種程度上加速了韓國企業與濱化集團在電子級氫氟酸方面的合作,目前陸續有韓國企業向濱化集團下了批量訂單。

        據悉,濱化集團始建于1968年,歷經五十年艱苦奮斗和創新突破,已發展成為主業突出、產業鏈完整的綜合型化工企業集團,產業涵蓋鹽化工、石油化工、精細化工、熱電、口岸倉儲、金融等領域,產品覆蓋全球100多個國家和地區。此外,濱化集團還與清華工業研究院共同成立北京水木濱華科技有限公司,并與清華工研院、中國原子研究院合作,共同打造氫燃料電池、新能源汽車產業鏈(1000噸/年六氟磷酸鋰已成功進入市場)及軍民融合氫能利用產業集群。并擬巨額資金在北海經濟開發區投資建設“輕質原料、綠色過程、面向高增長行業的高科技新材料”的化工園區。

        李壽生:我國高端化工新材料產業現狀及發展方向

        新材料產業是國民經濟的先導性產業,也是制造強國及國防工業發展的關鍵保障。在全球新一輪科技和產業革命背景下,世界主要國家都在搶占這一戰略制高點。迄今為止,我國化工新材料產業的發展取得了哪些成績?還存在哪些問題?“十四五”化工新材料產業發展的戰略和任務何在?本文對此進行探討。

        1

        深刻認識石化行業高質量發展的緊迫性和重要性

        經過多年的持續快速發展,我國石化行業成功實現了從石化弱國到石化大國的歷史性轉變,2018年,全國石油和化學工業規模以上企業主營業務收入達到12.4萬億元,利潤總額8393.8億元,分別占全國規模以上工業主營收入和利潤總額的12.1%和12.7%。甲醇、化肥、農藥、燒堿、純堿、電石、合成樹脂、合成橡膠等產品產量穩居世界第一位,原油加工量、乙烯居世界第二位。成績非常矚目,但是與高質量發展的要求相比,還有很大差距。

        從產業結構來看,國內石化產業主要以基礎和大宗原料生產為主,處于產業鏈中低端,2018年全行業主營業務收入12.4萬億元,其中高端制造業和戰略性新興產業所占比例不足10%。從產業發展效率來看,2018年全行業銷售收入利潤率僅6.8%,百元銷售成本高達81.3%,行業人均利潤不到10萬元。合成氨、甲醇、乙烯等重點產品平均能耗水平與國際先進相比,普遍存在10%~20%差距。從創新能力來看,目前我國石化產業規模、技術水平、產品質量等方面與發達國家仍存較大差距,不少高端化工新材料仍未實現規?;a,部分產品雖已國產化,但技術不成熟,成品率低,質量與進口差距較大。無材可用、有材不好用、好材不敢用現象仍十分突出。從企業競爭力來看,企業整體競爭能力不強,國際化經營水平低,抗風險能力弱。特別是在當前以技術為核心的安全、綠色等貿易壁壘下,國內企業處于競爭劣勢。國際知名咨詢機構科睿唯安最近評出的2018—2019年度全球創新百強企業,其中有15家化工企業,全部是日本、美國、德國、法國等發達國家的企業,我國沒有一家企業入選。從現代經濟體系建設來看,行業管理、法律法規標準、教育培訓、基礎設施等嚴重不適應石化產業快速發展的需要。突出表現就是安全環保事故多發,給行業發展造成惡劣影響。

        2

        正確認識我國化工新材料產業發展的成績和問題

        我國高度重視新材料產業的發展,國務院成立了國家新材料產業發展領導小組,相關部門連續發布了《工業強基工程實施指南(2016-2020)》、《“十三五”國家戰略性新興產業發展規劃》、《新材料產業發展指南》、《十三五”材料領域科技創新專項規劃》、《重點新材料首批次應用示范指導目錄》、《新材料標準領航行動計劃》等一系列產業政策,聚集多種要素資源,大力推動我國新材料產業快速發展。

        一系列關鍵技術取得重大進展。T800及以上級碳纖維、聚碳酸酯、聚苯硫醚、氫化苯乙烯異戊二烯共聚物(SEPS)、聚丁烯-1、耐高溫半芳香尼龍PA10T、ADI全產業鏈技術等打破國外壟斷,先后實現產業化生產。世界首套高強高模聚酰亞胺纖維百噸級裝置率先在中國建成。聚氨酯及原料基本實現自給,氟硅樹脂、熱塑性彈性體、功能膜材料等自給率近70%,高性能樹脂、高端超高分子量聚乙烯、水性聚氨酯、脂肪族異氰酸酯、氟硅樹脂橡膠等先進化工新材料國內市場占有率大幅提升,部分產品實現出口?;ば虏牧闲袠I已經成為引領、支撐、推動行業高質量發展的重要動力。

        產業規模不斷擴大。2018年我國化工新材料產品產量約1700萬噸,實現銷售收入4800多億元,產量較“十二五”末提升60%,銷售收入增長2.5倍,總體自給率上升至60%左右。2018年,合成材料和專用化學品對行業收入貢獻率分別達到30.9%和18.6%;其中,生物基材料制造增加值同比增長2.1倍?;ば虏牧弦殉蔀槭袠I發展最快、發展質量最好的重要引領力量。

        在看到我國化工新材料行業攻堅克難、努力拼搏,實現快速發展同時,我們也必須看到,我國發展化工新材料產業的發展歷史還比較短,發展過程中還存在很多短板和不足,也面臨不少困難和挑戰。主要是:

        不少高端產品仍供給嚴重不足。茂金屬聚丙烯、聚醚醚腈、發動機進氣歧管用特種改性尼龍、可溶性聚四氟乙烯、聚酰胺型熱塑性彈性體、PVF太陽能背板膜等部分產品仍未實現大規模工業化生產。尤其在電子化學品領域,高純磷烷特氣、CMP拋光墊材料等電子信息領域所需的關鍵材料完全依賴進口。不少化工新材料產品雖已國產化但產品質量與進口產品差距仍較大,只能滿足中低端需求。有些化工新材料的生產裝置運行情況不理想,產品不能穩定供應。加快實現關鍵化工新材料國產化、提升重點化工新材料自給能力仍是我們當前非常急迫的首要任務。

        3

        “十四五”化工新材料產業發展的戰略和任務

        習近平總書記在視察萬華化學時強調,要堅持走自主創新之路,要有這么一股勁,要有這樣的堅定信念和追求,不斷在關鍵核心技術研發上取得新突破。我們要認真學習領會習近平總書記的重要指示精神,銘記“核心技術靠買是買不來的”這一事實,堅定信心、保持定力,努力營造有利于創新的政策和市場環境,扎扎實實推進技術創新,做好我們自己的事,以不變應萬變,全面用好我國經濟發展的重要戰略機遇期、圍繞化工新材料產業發展,著力抓好以下重點工作:

        01 | 面向國家和行業重大需求,努力攻克一批補短板技術。

        結合我國新能源汽車、軌道交通、航空航天、國防軍工等重大戰略需求,聚焦產業發展瓶頸,集中力量補長“短板”,攻克一批卡脖子技術,推動產業供給側結構性改革。開發α-烯烴及聚烯烴彈性體(POE)、茂金屬聚乙烯(mPE)、耐刺薄膜專用樹脂等高端聚烯烴材料生產技術;開發己二腈、聚苯醚、熱塑性聚酯(PBT)等通用及特種工程塑料關鍵中間體和產品;研制纖維用大絲束腈綸長絲等新型(特種)合成纖維;開發子午胎用高極性與高氣密性溴化丁基橡膠等新型(特種)合成橡膠;開發5G通信基站用核心覆銅板用樹脂材料等高端電子化學品。

        02 | 緊跟國際前沿,搶占一批制高點技術。

        密切關注國際科技前沿,加強超前部署,構建先發優勢,在更多關鍵技術上努力實現自主研發、自主創新,努力形成一批具有自主知識產權的國際領先的原創核心技術。我們要加大研發投入和科技成果轉化力度,加強理論研究和基礎研究,突破一批新型催化、微反應等過程強化技術,開發一批新材料技術,搶占一批科技制高點。大力發展聚砜、聚苯砜、聚醚醚酮、液晶聚合物等高性能工程塑料,電子特氣、電子級濕化學品、光刻膠、電子紙等高端電子化學品,加強石墨烯材料和3D打印材料的研發和應用研究。努力為我國石化行業高質量發展打下堅實基礎。

        03 | 圍繞提高自主創新能力,建設一批高水平創新平臺。

        要利用國際、國內創新資源,積極培育和組建一批國家級和行業級創新中心。按照行業科技創新規劃,將領先科研院所和創新型企業組織起來,建設一批高水平的產學研用創新平臺;積極開展同國外跨國公司和科研機構的交流合作,為突破行業發展關鍵技術和行業轉型升級提供新鮮土壤,為產學研優勢集聚提供更大空間。進一步加快科研技術產業化速度和成果轉化,形成對行業轉型升級發展的有力支撐。

        04 | 深化科技體制機制改革,積極營造有利于創新的發展環境。

        黨的十九大以來,國家連續出臺了一系列鼓勵創新的法律和政策文件,包括在產學研合作中的知識產權、成果轉化效益中的相關分配原則等各個方面,可以說有利于創新的法律政策環境正在不斷改善。我們建議有關部門進一步聽取企業和科研單位的意見,進一步出臺更加細化、更可操作的實施細則。特別是要進一步強化知識產權保護,建立健全技術資料、商業秘密、對外合作等法律法規,增強企業守法意識,切實保障知識產權所有者的合法權益,促進自主創新成果的產權化、商品化、產業化,提升行業知識產權創造、運用、保護和管理的能力,從體制機制上充分釋放廣大企業和科技工作者創新活力和創新動力。

        中國的發展正進入高質量發展的嶄新階段,我們既面臨著百年未有之大變局,也面臨著世界能源結構調整、世界石化產業結構調整的難得戰略機遇期,我們要牢牢把握新一輪世界科技革命和產業變革的新機遇,密切關注全球石化產業競爭格局變化的最新動向,結合我國的實際需求,在新的科技革命中贏得主動、有所作為。我相信,在有關政府部門、新材料企業、科研院所、業內專家的全力支持下,我國化工新材料行業一定能夠抓住經濟轉型的歷史機遇,全力開創創新發展的新局面,為推動我國實現由石化大國向強國的躍升,為建設制造強國做出我們更大的貢獻!

        原文標題:濱化集團電子級氫氟酸成功打入韓國市場!分析我國高端化工新材料產業現狀及發展方向

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        第四代光源,是否將成為最后一代?

        璀璨未來:中國最新型高能同步輻射光源,即第四代同步輻射加速器裝置的計算機模擬圖片。在2025年底,該....
        的頭像 PCB資訊 發表于 09-04 16:25 ? 2186次 閱讀
        第四代光源,是否將成為最后一代?

        阻抗匹配的意義在哪里

        在電學中,常把對電路中電流所起的阻礙作用叫做阻抗。
        發表于 09-04 10:19 ? 812次 閱讀
        阻抗匹配的意義在哪里

        消費電子概念持續走高,受益5G商用的細分板塊眾多

        9月3日,消費電子概念持續走高,截至發稿,領益智造、聞泰科技、宏和科技漲停,歌爾股份漲逾8%,信維通....
        的頭像 無人機網 發表于 09-03 15:43 ? 1213次 閱讀
        消費電子概念持續走高,受益5G商用的細分板塊眾多

        面向電子裝聯的PCB可制造性是怎么一回事

        隨著通信﹑電子類產品的市場競爭不斷加劇,產品的生命周期在不斷縮短,企業原有產品的升級及新產品的投放速....
        發表于 09-03 11:33 ? 130次 閱讀
        面向電子裝聯的PCB可制造性是怎么一回事

        PCB線路板怎樣清潔比較好

        裝配制造商不僅需要規定進來的板的清潔度,而且要與用戶對裝配好的產品的清潔度達成一致。
        發表于 09-03 10:27 ? 113次 閱讀
        PCB線路板怎樣清潔比較好

        Molex宣布重啟分銷卓越計劃,將Molex成功引上市場

        Molex宣布以新的標識恢復“分銷卓越”計劃。該計劃最初于上世紀九十年代早期啟動,一直在不斷發展之中....
        的頭像 電子發燒友網工程師 發表于 08-30 11:57 ? 1130次 閱讀
        Molex宣布重啟分銷卓越計劃,將Molex成功引上市場

        2019年上半年TCL全球電視機整體銷量創下新高,達1553萬臺

        8月28日下午,TCL電子控股有限公司公布2019年上半年業績。截止2019年6月30日,TCL電子....
        的頭像 大健康產業情報 發表于 08-29 15:15 ? 2453次 閱讀
        2019年上半年TCL全球電視機整體銷量創下新高,達1553萬臺

        三星關閉了一條8.5代LCD生產線,意味著LCD顯示器產能削減一半

        全球消費電子增速放緩的背景下,中國多條面板生產線的投產,將面板廠商的利潤推向了危險的邊緣。全球面板出....
        的頭像 人工智能學研社 發表于 08-29 11:42 ? 1911次 閱讀
        三星關閉了一條8.5代LCD生產線,意味著LCD顯示器產能削減一半

        蘋果對中國市場的依賴性越來越大,似乎形成了新的挑戰

        美國當地時間周五,這家世界上最有影響力的消費電子公司市值縮水440億美元。此前,中美雙方將焦點投向了....
        的頭像 科技每日推送 發表于 08-26 17:32 ? 1325次 閱讀
        蘋果對中國市場的依賴性越來越大,似乎形成了新的挑戰

        恒生電子總裁劉曙峰:一個特別重要的挑戰就是能不能跟得上這個變化

        “金融科技行業的最大風險就是跟不上變化。新技術來了,技術變革了,你能不能跟得上?你能不能跟得上業務的....
        的頭像 科技每日推送 發表于 08-26 17:27 ? 1453次 閱讀
        恒生電子總裁劉曙峰:一個特別重要的挑戰就是能不能跟得上這個變化

        中國電子勞動學會校企合作促進會成立,中國校企合作事業進入了新時代

        8月17日,中國電子勞動學會校企合作促進會成立大會在山東濟南舉行。來自政府部門、企業、高校、研究機構....
        的頭像 電子發燒友網工程師 發表于 08-23 14:30 ? 1345次 閱讀
        中國電子勞動學會校企合作促進會成立,中國校企合作事業進入了新時代

        華為事件對電子產業影響解讀

        發表于 08-22 19:19 ? 3903次 閱讀
        華為事件對電子產業影響解讀

        PCB干膜出現問題時怎樣改善

        隨著電子產業的高速發展,PCB布線越來越精密。
        發表于 08-22 08:57 ? 170次 閱讀
        PCB干膜出現問題時怎樣改善

        PCB干膜破孔/滲鍍問題怎樣改善

        隨著電子產業的高速發展,PCB布線越來越精密,多數PCB廠家都采用干膜來完成圖形轉移,干膜的使用也越....
        的頭像 PCB資訊 發表于 08-20 16:53 ? 1372次 閱讀
        PCB干膜破孔/滲鍍問題怎樣改善

        支付寶宣布電子結婚證,出門辦事忘帶證件也不怕了

        此前,支付寶宣布,已有5省市上線電子結婚證。福建、江西、江蘇、浙江、重慶5省市首批支持,出門辦事忘帶....
        的頭像 ZEALER訂閱號 發表于 08-20 10:41 ? 1305次 閱讀
        支付寶宣布電子結婚證,出門辦事忘帶證件也不怕了

        PCB行業的前途怎么樣

        1,中國占全球PCB市場過半份額大陸地區正在崛起 印刷電路板(PCB)產品自1948年開始
        的頭像 PCB行業工程師技術交流 發表于 08-19 16:24 ? 1050次 閱讀
        PCB行業的前途怎么樣

        電子元件資料查詢

        大家平時查詢電子元器件資料的時候,都是都哪些網站查詢呢?求分享?。?! ...
        發表于 08-16 09:14 ? 944次 閱讀
        電子元件資料查詢

        有錢不怕折騰,還是得選無源音箱了

        有源音箱又稱為主動式音箱,通常是指自帶有電子分頻系統,以及功率放大器的音箱。有源音箱通常只需要接上電....
        的頭像 5G萬物物聯 發表于 08-15 18:17 ? 3277次 閱讀
        有錢不怕折騰,還是得選無源音箱了

        海能實業今日上市 發行價格27.33元/股

        海能實業是一家電子配件研發商,主要產品包括電線電纜、信號適配器、音視頻交換設備、電源適配器、耳機及智....
        的頭像 行業投資 發表于 08-15 10:03 ? 2291次 閱讀
        海能實業今日上市 發行價格27.33元/股

        合肥物質科學研究院在等離子體中取得了進展

        近日,中國科學院合肥物質科學研究院等離子體物理研究所副研究員張濤帶領微波反射儀診斷組在EAST上觀察....
        的頭像 東芝存儲 發表于 08-15 09:08 ? 999次 閱讀
        合肥物質科學研究院在等離子體中取得了進展

        傳導干擾耦合的三種形式

        傳導干擾耦合形式
        的頭像 集成電路園地 發表于 08-14 15:57 ? 1212次 閱讀
        傳導干擾耦合的三種形式

        制造企業開放自己的“后廚”,做到透明化

        曾經有段時間,海底撈火鍋的后廚被新聞刷屏。大眾吃貨眼中干凈衛生、菜品優質、服務最佳,堪稱業界楷模的火....
        發表于 08-11 08:30 ? 149次 閱讀
        制造企業開放自己的“后廚”,做到透明化

        差分線傳輸串擾的原因和解決方法等問答講解

        在做到良好的匹配的同時,耦合的越緊密,它們對外界的抗干擾越強因為外界干擾對它們的影響是同時的,而差分....
        發表于 08-06 17:47 ? 282次 閱讀
        差分線傳輸串擾的原因和解決方法等問答講解

        “相聞不相識”好奇投了電子漿料項目,便一發不可收拾

        在日本和德國,有世界上最多的“隱形冠軍”企業。它們不像巨頭那樣包羅萬象和耀眼,而是低調地在各自的細分....
        的頭像 新材料在線 發表于 08-06 16:45 ? 1668次 閱讀
        “相聞不相識”好奇投了電子漿料項目,便一發不可收拾

        TIL113M 6引腳DIP光敏達林頓輸出光電耦合器

        ??4N30M,4N32M,4N33M,H11B1M和TIL113包含一個砷化鎵紅外線發射器,光耦合至一個硅平面達林頓放大器。 特性 “對于低輸入驅動電流高度敏感 滿足或超過所有JEDEC寄存規格 安全和法規認證: UL1577,4170 VAC RMS (1分鐘) DIN-EN / IEC60747-5-5,850 V峰值工作絕緣電壓“ 應用 消費型設備 工業級電機 電路圖、引腳圖和封裝圖
        發表于 04-18 20:06 ? 56次 閱讀
        TIL113M 6引腳DIP光敏達林頓輸出光電耦合器

        TIL117M 6引腳DIP光電晶體管輸出光電耦合器

        信息MOC8100、TIL111和TIL117光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。 UL認證(文件編號E90700) 通過VDE認證(文件編號94766);(文件編號102497,白色封裝) 為白色封裝增加選件V(例如,TIL111VM)
        發表于 04-18 20:06 ? 31次 閱讀
        TIL117M 6引腳DIP光電晶體管輸出光電耦合器

        TIL111M 6引腳DIP光電晶體管輸出光電耦合器

        信息MOC8100、TIL111和TIL117光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。 UL認證(文件編號E90700) 通過VDE認證(文件編號94766);(文件編號102497,白色封裝) 為白色封裝增加選件V(例如,TIL111VM)
        發表于 04-18 20:06 ? 14次 閱讀
        TIL111M 6引腳DIP光電晶體管輸出光電耦合器

        6N139M 8引腳DIP單通道低輸入電流高增益分離式達靈頓光電耦合器

        信息6N138M/9M和HCPL2730M/31M光電耦合器包含與高增益分離式達靈頓光電檢測器光耦合的AlGaAs LED。分離式達靈頓配置將輸入光電二極管和第一級增益與輸出晶體管分開,相對于傳統的達靈頓光電晶體管光電耦合器,可降低輸出飽和電壓,提高運行速度。在雙通道器件中,集成發射極-基極電阻 HCPL2730M/HCPL2731M 可提供一流的耐溫穩定性。0.5mA的極低輸入電流與2000%的高電流傳輸比相結合,使得該系列對于MOS、CMOS、LSTTL和EIA RS232C的輸入接口特別有用,同時也確保了至CMOS的輸出兼容性,并且滿足高扇出TTL要求。內部噪聲屏蔽可提供 10 kV/μs 的出色共模抑制性能。 低電流 – 0.5 mA 一流的 CTR-2000% 一流的 CMR-10 kV/μs CTR 保證 0–70°C U.L. 認證(文件編號 E90700,卷 2) VDE 認證(待定) – 訂購選件 V,如 6N138VM 雙通道 – HCPL2730M,HCPL2731M(即將上市)...
        發表于 04-18 20:02 ? 54次 閱讀
        6N139M 8引腳DIP單通道低輸入電流高增益分離式達靈頓光電耦合器

        6N137M 高速10MBit/s邏輯門光電耦合器

        信息6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M單通道和HCPL2630M、HCPL2631M雙通道光電耦合器包含850 nm砷化鋁鎵LED,該LED光學耦合至帶可選通輸出的超高速集成光電探測器邏輯門。 該輸出具有開路集電極,允許有線或輸出。 在-40°C至+85°C溫度范圍內可確保耦合參數。 5mA的最大輸入信號將提供13mA的最小輸出灌電流(扇出為8)。 內部噪聲屏蔽提供卓越的通常為10kV/μs的共模抑制。 HCPL2601M和HCPL2631M的CMR最小值為5kV/μs。 HCPL2611M的CMR最小值為10kV/μs。 超高速 – 10 MBit/s 卓越 CMR – 10 kV/μs -40°C 至 +85°C 時扇出為 8 邏輯柵極輸出 可選通輸出 有線OR開路集電極 U.L. 認證(文件編號E90700)...
        發表于 04-18 20:01 ? 23次 閱讀
        6N137M 高速10MBit/s邏輯門光電耦合器

        6N138M 8引腳DIP單通道低輸入電流高增益分離式達靈頓光電耦合器

        信息6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光電耦合器包含與高增益分離式達靈頓光電檢測器光耦合的 AlGaAs LED。 分離式達靈頓配置將輸入光電二極管和第一級增益與輸出晶體管分開,相對于傳統的達靈頓光電晶體管光電耦合器,可降低輸出飽和電壓,提高運行速度。在雙通道器件中,集成發射極-基極電阻 HCPL2730M/HCPL2731M 可提供一流的耐溫穩定性。0.5mA的極低輸入電流與2000%的高電流傳輸比相結合,使得該系列對于MOS、CMOS、LSTTL和EIA RS232C的輸入接口特別有用,同時也確保了至CMOS的輸出兼容性,并且滿足高扇出TTL要求。內部噪聲屏蔽可提供 10 kV/μs 的出色共模抑制性能。 低電流 – 0.5 mA 一流的 CTR-2000% 一流的 CMR-10 kV/μs CTR 保證 0–70°C U.L. 認證(文件編號 E90700,卷 2) VDE 認證(待定) – 訂購選件 V,如 6N138VM 雙通道 – HCPL2730M,HCPL2731M(即將上市)...
        發表于 04-18 20:01 ? 77次 閱讀
        6N138M 8引腳DIP單通道低輸入電流高增益分離式達靈頓光電耦合器

        6N136M 高速晶體管光電耦合器

        信息HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光電耦合器包含耦合高速光電檢測器晶體管的AlGaAs LED。 通過降低輸入晶體管的基極-集電極電容,單獨連接實現光電二極管偏壓使速度比傳統光電晶體管光電耦合器提高數個級別。 HCPL4503M不會內部連接到光電晶體管基極,有助于改善抗噪能力,內部噪聲屏蔽提供一流的共模抑制性能,高達50,000V/μs。 超高速 – 1 MBit/s 一流CMR – 10 kV/μs 雙通道HCPL2530M HCPL2531M(初始版) CTR保證 0–70°C U.L. 認證(文件編號 E90700,卷 2) 2) VDE認證(待定)–訂購選項“V”,例如6N135VM 5,000Vrms(1分鐘)隔離電壓 一流CMR,15,000V/μs min. (HCPL4503M)...
        發表于 04-18 20:01 ? 26次 閱讀
        6N136M 高速晶體管光電耦合器

        6N135M 高速晶體管光電耦合器

        信息 6N135光電耦合器包含一個砷化鋁鎵二極管,該二極管光耦合到一個高速光電晶體管探測器?! ?N135為偏置二極管建立了單獨的連接,降低了輸入晶體管的基極-集電極容抗,使得6N135的速度比傳統光耦提高了數個數量級?! ?6N135帶有內部噪音屏蔽,提供優越的共模抑制,達到10kV/μs。改良的配套方案提供優越的隔離性能,相比220V的工業標準,6N135的工作電壓高達480V。優勢特點HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光電耦合器包含耦合高速光電檢測器晶體管的AlGaAs LED。 通過降低輸入晶體管的基極-集電極電容,單獨連接實現光電二極管偏壓使速度比傳統光電晶體管光電耦合器提高數個級別。 HCPL4503M不會內部連接到光電晶體管基極,有助于改善抗噪能力,內部噪聲屏蔽提供一流的共模抑制性能,高達50,000V/μs。超高速 – 1 MBit/s一流CMR – 10 kV/μs雙通道HCPL2530M HCPL2531M(初始版)CTR保證 0–70°CU.L. 認證(文件編號 E90700,卷 2)VDE認證(待定)–訂購選件“V”,例如6N135VM5,000Vrms(1分鐘)隔離電壓一流CMR,15,000V/μs min....
        發表于 04-18 20:01 ? 35次 閱讀
        6N135M 高速晶體管光電耦合器

        4N30M 4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M、TIL113M 6 引腳 DIP 通用光敏達靈頓光電耦合器

        信息4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一個砷化鎵紅外線發射器,光耦合至一個硅平面達林頓放大器?!皩τ诘洼斎腧寗与娏鞲叨让舾袧M足或超過所有 JEDEC 寄存規格安全和法規認證:UL1577,4170 VAC(1 分鐘)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作絕緣電壓”
        發表于 04-18 19:38 ? 18次 閱讀
        4N30M 4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M、TIL113M 6 引腳 DIP 通用光敏達靈頓光電耦合器

        4N38M 6引腳DIP高BVceo光電晶體管輸出光電耦合器

        信息4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔離器的光電晶體管類型。 一個砷化鎵紅外發光二極管與一個高壓NPN硅光電二極管耦合。 該器件提供標準塑封6引腳雙列直插封裝。高電壓:MOC8204M, BV= 400 VH11D1M, BV= 300 VH11D3M, BV= 200 V安全和法規認證:UL1577,4170 VAC(1 分鐘)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作絕緣電壓
        發表于 04-18 19:38 ? 20次 閱讀
        4N38M 6引腳DIP高BVceo光電晶體管輸出光電耦合器

        4N33M 6引腳DIP通用光敏達靈頓光電耦合器

        ??4N30M,4N32M,4N33M,H11B1M和TIL113包含一個砷化鎵紅外線發射器,光耦合至一個硅平面達林頓放大器。 特性 “對于低輸入驅動電流高度敏感 滿足或超過所有JEDEC寄存規格 安全和法規認證: UL1577,4170 VAC RMS (1分鐘) DIN-EN / IEC60747-5-5,850 V峰值工作絕緣電壓“ 應用 AC-DC商用電源 消費型設備 工業級電機 電路圖、引腳圖和封裝圖
        發表于 04-18 19:38 ? 55次 閱讀
        4N33M 6引腳DIP通用光敏達靈頓光電耦合器

        4N37M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        信息該通用光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。 通過UL認證(文件編號E90700,卷2) VDE認證(文件編號102497)– 添加選項V(例如,4N25VM)
        發表于 04-18 19:38 ? 30次 閱讀
        4N37M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        4N36M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        信息該通用光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。 通過UL認證(文件編號E90700,卷2) VDE認證(文件編號102497)– 添加選項V(例如,4N25VM)
        發表于 04-18 19:38 ? 124次 閱讀
        4N36M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        4N32M 6引腳DIP通用光敏達靈頓光電耦合器

        信息4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一個砷化鎵紅外線發射器,光耦合至一個硅平面達林頓放大器?!皩τ诘洼斎腧寗与娏鞲叨让舾袧M足或超過所有 JEDEC 寄存規格安全和法規認證:UL1577,4170 VAC(1 分鐘)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作絕緣電壓”
        發表于 04-18 19:38 ? 60次 閱讀
        4N32M 6引腳DIP通用光敏達靈頓光電耦合器

        4N29M 6引腳DIP通用光敏達靈頓光電耦合器

        信息4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一個砷化鎵紅外線發射器,光耦合至一個硅平面達林頓放大器。對于低輸入驅動電流高度敏感滿足或超過所有 JEDEC 寄存規格安全和法規認證:UL1577,4170 VAC(1 分鐘)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作絕緣電壓
        發表于 04-18 19:38 ? 53次 閱讀
        4N29M 6引腳DIP通用光敏達靈頓光電耦合器

        4N35M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        信息該通用光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。 通過UL認證(文件編號E90700,卷2) VDE認證(文件編號102497)– 添加選項V(例如,4N25VM)
        發表于 04-18 19:38 ? 96次 閱讀
        4N35M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        4N25M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        光電耦合器包含一個砷化鎵紅外發光二極管,用于驅動硅光敏晶體管,采用標準塑料六引腳雙列封裝。 特性 IF = 10 mA時的最小電流傳輸比,VCE = 10 V:?4N27M和4N28M的10%?4N25M和4N26M的20%?4N35M,4N36M和4N37M的100% 安全和法規認證:?UL1577,4,170 VACRMS 1分鐘?DIN-EN / IEC60747-5-5,850 V峰值工作絕緣電壓 應用 AC-DC商用電源 消費型設備 工業級電機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
        發表于 04-18 19:38 ? 142次 閱讀
        4N25M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        4N28M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        信息該通用光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。 通過UL認證(文件編號E90700,卷2) VDE認證(文件編號102497)– 添加選項V(例如,4N25VM)
        發表于 04-18 19:38 ? 99次 閱讀
        4N28M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        4N26M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        信息該通用光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。IF = 10 mA、VCE = 10 V 時的最小電流傳輸比:?4N27M 和 4N28M 為 10%?4N25M 和 4N26M 為 20%?4N35M、4N36M 和 4N37M 為 100%安全和法規認證:?UL1577、4,170 VACRMS(1 分鐘)?DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作絕緣電壓
        發表于 04-18 19:38 ? 78次 閱讀
        4N26M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        4N27M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器

        信息該通用光電耦合器包含砷化鎵紅外線發光二極管,該二極管驅動6引腳雙列直插封裝中的硅光電晶體管。AC-DC商用電源消費型設備工業級電機
        發表于 04-18 19:38 ? 89次 閱讀
        4N27M 6引腳DIP封裝光電晶體管輸出光電耦合器
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