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        IGBT的基本結構是怎么樣的

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        上傳日期: 2020-01-08

        上 傳 者: 易水寒他上傳的所有資料

        資料介紹

        標簽:晶體管(2163)IGBT(1053)MOSFET(2065)

          絕緣柵雙極晶體管本質上是一個場效應晶體管,只是在漏極和漏區之間多了一個 P 型層。根據國際電工委員會 IEC / TC ( CO ) 13 3 9 文件建議,其各部分名稱基本沿用場效應晶體管的相應命名。

          圖 2 - 53 所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構, N+ 區稱為源區,附于其上的電極稱為源極。N+ 區稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P 型區(包括P+ 和P 一區)(溝道在該區域形成),稱為亞溝道區( Subchannel region )。而在漏區另一側的P+ 區稱為漏注入區( Drain injector ),它是 IGBT 特有的功能區,與漏區和亞溝道區一起形成 PNP 雙極晶體管,起發射極的作用, 向漏極注入空穴,進行導電調制,以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極。

          為了兼顧長期以來人們的習慣, IEC 規定:源極引出的電極端子(含電極端)稱為發射極端(子),漏極引出的電極端(子)稱為集電極端(子)。這又回到雙極晶體管的術語了。但僅此而已。

          IGBT 的結構剖面圖如圖2 - 53 所示。它在結構上類似于MOSFET ,其不同點在于 IGBT 是在 N 溝道功率 MOSFET 的 N+ 基板(漏極)上增加了一個P+ 基板( IGBT 的集電極),形成PN 結j1 ,并由此引出漏極、柵極和源極則完全與MOSFET 相似。

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